类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1200 V
　　最大漏极电流（ID）：68 A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.16 Ω（最大值）
　　栅极电压（VGS）：±20 V
　　最大功耗（PD）：300 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　技术：高压超级结 MOSFET

VUO68-12N07 MOSFET 具有多个关键特性，使其在高压功率应用中表现出色。首先，其高达 1200V 的漏源电压能力使其适用于高电压系统的开关操作，如工业电源和逆变器系统。其次，68A 的最大漏极电流支持大功率负载的控制，提供更高的功率密度和效率。
　　此外，该器件的导通电阻 RDS(on) 最大为 0.16Ω，这意味着在导通状态下功耗较低，有助于减少发热并提高系统能效。MOSFET 的封装形式为 TO-247，提供了良好的散热性能，同时兼容标准的功率封装安装方式。
　　该器件还具备良好的热稳定性和抗冲击能力，能够在高负载和高温环境下稳定运行。栅极电压范围为 ±20V，提供了更大的控制灵活性，并确保在各种驱动电路中可靠工作。VUO68-12N07 的设计使其在硬开关和高频开关环境中表现优异，非常适合用于现代电力电子变换器，如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源和电机控制电路。
　　最后，该 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的高压超级结技术制造，具有出色的动态性能和较低的开关损耗，从而提高了整体系统效率和可靠性。

VUO68-12N07 MOSFET 主要应用于高压和高功率电子系统中。它常用于开关电源（SMPS），包括服务器电源、电信电源和工业电源模块，以实现高效的能量转换。此外，它在逆变器系统中也扮演重要角色，例如太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统和电机驱动器中，用于控制高功率负载的开关操作。
　　该器件还适合用于功率因数校正（PFC）电路，以提高电力系统的能效并减少电网谐波干扰。在电动车辆充电系统中，VUO68-12N07 可用于主开关电路，以支持高电压电池的快速充电。此外，在工业自动化和电机控制应用中，该 MOSFET 提供了可靠的高电流开关能力，适用于驱动大功率电机和执行器。
　　由于其优异的高压性能和热稳定性，VUO68-12N07 还可用于医疗设备电源、高功率 LED 驱动器和各种工业控制装置中，以确保系统的高效运行和长期可靠性。

STW68N120HD, VUO75-12NO7, STP68N120K5, IXFH68N120Q2