VUO55-16N07 时间：2025/8/6 8:52:00 阅读：31

VUO55-16N07 是一款由ABB公司制造的高功率双极晶体管（Bipolar Transistor），专门设计用于高电压和高电流的应用场景。这款晶体管属于NPN型，具备较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO）和较大的额定集电极电流（IC），适用于电力电子领域中的各种高功率开关和放大电路。该器件采用先进的封装技术，以确保在极端工作条件下依然能够保持稳定性能。

参数

类型：NPN型双极晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：1600V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：2500V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大额定集电极电流（IC）：55A
　　最大功耗（PCM）：400W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　增益（hFE）：约20（最小值）
　　封装形式：平面封装（例如：SOT-96 或类似工业标准封装）

特性

VUO55-16N07 的主要特性之一是其优异的高电压耐受能力，集电极-发射极之间的最大电压可达到1600V，这使其适用于高压开关电路和电源管理应用。此外，该晶体管的集电极电流额定值高达55A，表明其具有出色的高电流承载能力，适合用于需要高功率输出的系统。该器件的高功率耗散能力（400W）确保其在高负载条件下仍能维持稳定运行，同时具备良好的热稳定性。VUO55-16N07 采用了先进的封装技术，以增强其在高电压和高电流环境下的可靠性，减少热应力带来的影响，并提高整体的使用寿命。其增益（hFE）在标准工作条件下约为20，虽然相对较低，但在高功率应用中仍然能够提供足够的放大能力。此外，该晶体管具有良好的短路保护能力，可以在一定程度上承受异常工作条件，从而提升系统的鲁棒性。
　　VUO55-16N07 的另一个重要特性是其宽广的工作温度范围，从-55°C到+150°C，使其适用于各种严苛环境下的工业和电力系统。该器件还具有较低的饱和压降（VCEsat），有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。这种晶体管通常用于逆变器、电机控制、UPS系统、焊接设备和电能转换系统等高功率应用场景。在设计中，VUO55-16N07 可以与其他功率器件配合使用，以实现复杂的电力电子功能。