时间：2025/8/6 8:22:04
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VUO50-12N03是一款由Microsemi（现为L3Harris Technologies的一部分）生产的高功率、高压MOSFET模块，广泛应用于工业电源、电机控制、可再生能源系统和高功率开关电源等场合。该模块集成了多个MOSFET芯片，采用先进的封装技术，具备良好的热管理和电气性能，能够在高温和高电压环境下稳定运行。
类型：MOSFET模块
最大漏极电流（ID）：50A
漏-源极击穿电压（VDS）：1200V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.03Ω
封装形式：双列直插式（DIP）或表面贴装（SMD）
工作温度范围：-55°C至+150°C
最大功耗：300W
栅极电压范围：±20V
短路耐受能力：有
VUO50-12N03具有极低的导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压能力（1200V）使其适用于高压直流（HVDC）转换器、太阳能逆变器以及电机驱动器等应用。该模块采用先进的芯片并联技术，提高了电流承载能力和可靠性。
VUO50-12N03的封装设计考虑了热管理和机械稳定性，具有良好的散热性能和耐久性。其内部集成多个MOSFET芯片，并通过优化布局减少寄生电感，提升高频开关性能。此外，该模块具有较强的短路和过载能力，能够在极端条件下提供稳定性能。
为了确保在高功率应用中的可靠性，VUO50-12N03还具备优异的抗电磁干扰（EMI）特性，并采用符合RoHS标准的材料制造，适用于各种工业环境。
VUO50-12N03常用于高功率电源转换系统，如工业电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动车充电设备、高压DC-DC转换器以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高压、大电流特性也使其适用于感应加热、电焊机和电力调节设备等高功率应用场景。
VUO50-12N03-M344-A, VUO50-12N03-EU
