VUO36-18N08 时间：2025/8/6 1:46:56 阅读：33

VUO36-18N08 是一款由Microsemi（现为Microchip Technology旗下品牌）制造的高压MOSFET模块，广泛用于高功率、高效率的电力电子应用中。该器件采用先进的SiC（碳化硅）半导体技术，具有出色的热管理和高频开关性能，适用于工业电机驱动、可再生能源系统、电源转换器以及电动汽车充电设备等应用场景。VUO36-18N08的设计旨在提高系统效率并减少散热需求，是替代传统硅基IGBT模块的理想选择。

参数

类型：碳化硅MOSFET模块
　　最大漏极电流（ID）：36A
　　漏源击穿电压（VDS）：1800V
　　导通电阻（RDS(on)）：80mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：双列直插式封装（Dual-in-line Package, DIP）
　　安装方式：通孔安装
　　热阻（Rth）：0.55K/W（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：130nC（典型值）
　　短路耐受能力：支持
　　符合标准：RoHS合规

特性

VUO36-18N08具备多项显著的技术优势。首先，其基于碳化硅的半导体技术提供了极低的导通损耗和开关损耗，使得在高频工作条件下依然保持高效率。此外，该模块的高击穿电压能力（1800V）使其适用于高压应用环境，具有良好的稳定性和可靠性。
　　其次，VUO36-18N08的封装设计优化了热性能，热阻仅为0.55K/W，有助于降低工作温度并提升系统寿命。该模块还具备较强的短路耐受能力，可在极端工况下提供保护，防止器件损坏。
　　另外，该器件的栅极电荷较低，仅为130nC，有助于降低驱动损耗并加快开关速度。其-55°C至+175°C的宽泛工作温度范围也使其适用于各种严苛环境。由于采用了先进的封装材料和技术，VUO36-18N08具备出色的抗热循环能力，适用于长期高负载运行的应用场景。

应用

VUO36-18N08常用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。典型应用包括高压逆变器、工业电机驱动、太阳能逆变器、电动汽车车载充电器（OBC）、直流快充设备、储能系统以及高频开关电源（SMPS）等。此外，由于其优异的热管理和短路保护能力，该模块也适用于对可靠性要求极高的航空航天和轨道交通领域。