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VUO36-08NO1 发布时间 时间:2025/8/5 13:17:05 查看 阅读:35

VUO36-08NO1是一款由Microsemi(现为Microchip子公司)生产的高压MOSFET模块,专为高功率应用设计。该模块结合了高电压能力和高电流承载能力,适用于工业电源、电机驱动、可再生能源系统和高能效转换器等场景。其封装设计确保了良好的热管理和绝缘性能,以适应严苛的工作环境。

参数

类型:高压MOSFET模块
  最大漏源电压(Vds):800V
  最大漏极电流(Id):36A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为150mΩ
  栅极电荷(Qg):典型值为150nC
  封装类型:双列直插式(DIP)模块封装
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  热阻(Rth):约0.45°C/W(典型值,结到外壳)
  短路耐受能力:具备短路保护能力

特性

VUO36-08NO1具有优异的电气和热性能,确保在高功率密度应用中的可靠运行。其低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该模块具备较高的短路耐受能力,能够在瞬态故障条件下保持稳定工作。模块内部采用先进的MOSFET芯片技术,优化了开关性能,减少开关损耗,适用于高频开关应用。封装设计提供了良好的绝缘和散热性能,适合在恶劣环境条件下使用。此外,该器件具备较高的抗振和抗湿性能,增强了其在工业环境中的耐用性。

应用

VUO36-08NO1广泛应用于高功率工业设备,如伺服驱动器、变频器、UPS(不间断电源)、电焊机和感应加热系统。此外,它还适用于太阳能逆变器、电动汽车充电设备和智能电网系统等新能源领域。由于其高电压和高电流能力,该模块也常用于高能效电源转换系统,如DC-DC转换器和AC-DC整流器。

替代型号

VUO36-08NFP, VUO36-08NO7, VUO40-08NO1, VUO32-08NO1

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