VUO3512N07 时间：2025/8/5 13:28:30 阅读：38

VUO3512N07 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET器件，广泛应用于高功率、高效率的电力电子系统中。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和逆变器等应用。VUO3512N07 是一款N沟道增强型MOSFET，具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：70V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：35A
　　导通电阻（RDS(on)）：7.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-247

特性

VUO3512N07 MOSFET具有多项优异的电气和热性能，首先其导通电阻RDS(on)非常低，仅为7.5mΩ，这使得在高电流工作时导通损耗显著降低，提高了系统的整体效率。此外，该器件采用先进的沟槽栅技术，优化了电流分布，提高了器件的稳定性和可靠性。
　　该MOSFET支持高达35A的连续漏极电流，能够满足高功率应用的需求。其70V的漏源电压额定值使其适用于中高功率电源转换系统，如服务器电源、电信设备和工业电机控制。此外，VUO3512N07 还具备良好的热稳定性，其工作温度范围可达到-55°C至175°C，适合在恶劣环境下运行。
　　器件的封装采用TO-247形式，这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性，便于安装和散热设计。此外，该器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（通常为10V），方便与各种控制电路（如PWM控制器或微处理器）接口连接。

应用

VUO3512N07 MOSFET主要应用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统。例如，在开关电源（SMPS）中，该器件可用于主开关或同步整流器，以提高能效并减小电源体积。在DC-DC转换器中，VUO3512N07 可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，为高电流负载提供稳定的电压输出。
　　此外，该MOSFET也广泛应用于电机驱动和逆变器系统中，例如在无刷直流电机（BLDC）控制电路中作为功率开关使用。由于其高电流能力和低导通电阻，能够有效降低损耗，提高电机效率和运行稳定性。
　　工业自动化设备、服务器电源、电池管理系统（BMS）以及新能源设备（如光伏逆变器）等也是VUO3512N07 的典型应用领域。在这些系统中，该MOSFET不仅提供高效的功率转换，还能保证在高温和高负载条件下长期稳定运行。