VUO35-16N07 时间：2025/8/6 10:44:13 阅读：29

VUO35-16N07 是一款由Vishay Semiconductors生产的功率MOSFET模块，采用双封装设计，内部集成两个N沟道MOSFET器件。该模块适用于高功率、高效率的电源转换应用，例如电机驱动、DC-DC转换器、UPS系统以及工业自动化设备。VUO35-16N07具有低导通电阻、高热稳定性和优异的开关性能，能够在高电流和高温环境下稳定运行。

参数

类型：功率MOSFET模块
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压(VDS)：160V
　　最大漏极电流(ID)：35A（连续）
　　导通电阻(RDS(on))：7mΩ（最大）
　　栅极电荷(Qg)：80nC（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：双D2Pak（表面贴装）
　　功耗(PD)：200W

特性

VUO35-16N07模块具备出色的导通和开关性能，主要得益于其低RDS(on)和优化的内部结构设计。该模块采用先进的沟槽式MOSFET技术，使得在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗。此外，该模块具备优异的热管理能力，内部结构支持高效的热量传导，从而提高整体系统的可靠性和稳定性。
　　该器件的工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适用于严苛的工业环境。模块封装采用双D2Pak形式，便于安装和散热，同时支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。
　　在开关性能方面，VUO35-16N07具有较低的栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss)，有助于减少开关损耗，提高转换效率。这使其非常适合用于高频开关电源系统，如谐振转换器、同步整流器和电机控制电路。另外，该模块还具备良好的短路耐受能力，提升了系统的安全性和耐用性。