时间：2025/8/5 13:27:43
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VUO190-04N07 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的高功率双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），属于功率晶体管类别，专为高电压、高电流应用设计。该器件具有良好的热稳定性和耐久性，适用于工业控制、电源管理和电机驱动等高功率场合。
类型：NPN型双极性晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：40V
最大集电极电流（IC）：190A
最大耗散功率（PD）：500W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247
电流增益（hFE）：根据工作点不同在50至200之间变化
频率响应：适用于低频应用
VUO190-04N07 是一款高电流、高耐压的功率晶体管，具有优异的导通特性和较低的饱和压降，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。其采用TO-247封装形式，便于安装散热器，提高散热性能，适用于高功率密度的设计需求。该晶体管具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，适用于工业电源、电机控制、焊接设备、逆变器和UPS不间断电源等高要求应用领域。
此外，VUO190-04N07 的设计优化了二次击穿特性，提高了器件在高电压、大电流下的安全工作区（SOA），确保在极端负载条件下仍能保持稳定运行。该器件符合RoHS环保标准，适合现代电子制造对环保材料的要求。
VUO190-04N07 主要应用于高功率电子设备中，例如工业电机驱动器、直流电源转换器、电池充电器、焊接机、不间断电源（UPS）、逆变器以及各种需要高电流开关能力的功率控制电路。它也常用于音频功率放大器和测试设备中作为高电流输出级。
VUO190-04N07 可以使用以下型号作为替代：VUO190-04N11、VUO190-06N07、BUW51、BUW52、TIP142、BDW83D。这些型号在某些电气特性或封装形式上略有不同，需根据具体电路设计要求进行匹配验证。
