VUO18-12DT8 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款功率半导体模块,属于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块的一种。该模块集成了IGBT和反向并联的二极管,专为高功率应用设计,例如工业电机控制、变频器、可再生能源系统和电动汽车充电设备。VUO18-12DT8 采用双管(Dual)拓扑结构,提供高效的电能转换能力和较高的可靠性。
类型:IGBT模块
拓扑结构:双管(Dual)
集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):18A
工作温度范围:-40°C至+150°C
封装类型:DIP(直插式)
安装方式:通孔安装
封装尺寸:约47.5mm x 26mm x 4.3mm
短路耐受能力:支持
热阻(RthJC):约1.2°C/W
栅极驱动电压范围:±20V
VUO18-12DT8 是一款性能优异的IGBT模块,具有多项技术特性以满足高功率应用的需求。
首先,该模块具备1200V的集电极-发射极电压(VCES)和18A的额定集电极电流,能够支持高电压和高电流的工作条件,适用于多种工业和电力电子系统。
其次,VUO18-12DT8 的拓扑结构为双管配置,由两个IGBT器件组成,每个IGBT并联一个反向续流二极管,从而实现高效的双向功率切换。这种设计有助于减少电路的复杂性并提高系统的整体效率。
此外,该模块的工作温度范围为-40°C至+150°C,具有较强的环境适应性,适合在严苛工业环境中使用。模块的热阻(RthJC)约为1.2°C/W,这意味着它能够在工作过程中有效地散热,从而提高稳定性和使用寿命。
在封装方面,VUO18-12DT8 采用DIP直插式封装,尺寸为47.5mm x 26mm x 4.3mm,便于安装和集成到PCB电路板中。其通孔安装方式也确保了良好的机械稳定性和电气连接可靠性。
最后,该模块还具备良好的短路耐受能力,能够在异常工作条件下提供一定的保护功能,从而提高系统的安全性和可靠性。
VUO18-12DT8 适用于多种高功率电子系统和设备。它广泛用于工业变频器和电机控制系统,能够实现高效的电能转换和精确的电机控制。
此外,该模块还可用于可再生能源系统,如太阳能逆变器和风能转换系统,帮助将直流电转换为交流电并输送到电网中。其高电压和高电流能力使其在这些应用中表现出色。
在电动汽车领域,VUO18-12DT8 可用于车载充电器和电机驱动系统,提供高效、可靠的功率控制解决方案。
除此之外,该模块还可用于电源供应系统、电焊机和感应加热设备等高功率应用中。
VUO18-12DT8 的替代型号包括VUO18-12NO7、VUO18-12DTH、VUO18-12DT4等。这些型号在封装和电气特性上相似,可根据具体应用需求选择合适的替代品。