时间：2025/8/6 8:28:22
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VUO125-12N07 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高功率IGBT模块，适用于高电流和高电压的应用。该模块结合了IGBT（绝缘栅双极晶体管）和快速恢复二极管（FRED），能够在电力电子系统中实现高效的能量转换。
最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
最大集电极电流（IC）：125A
工作温度范围：-40°C至+150°C
短路耐受能力：5μs
栅极驱动电压：+15V/-15V
导通压降（VCEsat）：约2.1V（典型值）
二极管正向压降（VF）：约2.5V（典型值）
封装类型：模块封装（Module）
绝缘等级：符合UL标准
VUO125-12N07是一款高功率密度的IGBT模块，具有出色的导通和开关性能，能够在高电压和大电流条件下稳定运行。其内部集成了快速恢复二极管（FRED），提高了系统的整体效率和可靠性。此外，该模块具备良好的热性能，支持长时间高负载运行，适用于多种工业和能源转换应用。
该模块的IGBT部分具有较低的饱和压降（VCEsat），能够有效降低导通损耗，同时其开关损耗也经过优化，有助于提高系统的能效。FRED二极管部分具有快速恢复特性，减少了反向恢复损耗，适用于高频开关应用。
在结构设计上，VUO125-12N07采用了高绝缘性能的模块封装，确保了在高电压工作环境下的安全性。该模块还具备较强的短路耐受能力，能够在极端工况下提供保护，延长设备的使用寿命。
VUO125-12N07广泛应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中，例如工业电机驱动、变频器、不间断电源（UPS）、电焊机、风力发电变流器以及光伏逆变器等。由于其高耐压和大电流能力，该模块特别适合用于高压直流（HVDC）转换系统和工业自动化设备中的大功率逆变电路。
SKM100GB12T4、FF125R12KS4、FS125R12W1T4
