时间：2025/8/6 9:03:49
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VUC36-16GO2 是一款由 Vishay（威世）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于增强型N沟道MOSFET。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制和各种高功率密度应用中。该MOSFET采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：36A
导通电阻（Rds(on)）：约5.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：130W（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerPAK SO-8双面散热（双面引脚）
VUC36-16GO2 具备多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件在Vgs=10V时，Rds(on)的典型值仅为5.5mΩ，适用于高电流工作条件。
其次，该MOSFET具有高电流承载能力，额定漏极电流可达36A，能够支持大功率负载的应用需求。同时，其最大功率耗散为130W，表明其在高功耗场景下仍能保持稳定运行。
此外，VUC36-16GO2 采用PowerPAK SO-8双面散热封装，这种封装结构不仅提供了良好的热管理性能，还减少了PCB空间占用，适合高密度电源设计。其双面引脚设计有助于提高焊接可靠性和热传导效率。
该器件的工作温度范围宽广，支持从-55°C到+175°C的环境，适用于工业级和汽车电子应用中的极端温度条件。
最后，VUC36-16GO2 还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，确保在异常工作条件下仍能保持稳定和安全。
VUC36-16GO2 主要用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统中。其典型应用包括同步整流DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具和电动车的马达驱动器、服务器电源和电信设备电源模块、负载开关控制以及工业自动化设备中的功率控制单元。由于其优异的热性能和小尺寸封装，它也适用于空间受限的设计场景。
SiR178DP, FDS4410A, IRF6717, SQJQ160EL
