VUC25-12G02 时间：2025/8/6 8:16:09 阅读：34

VUC25-12G02 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的高性能 SiC（碳化硅）功率模块，属于 ST 的 VUC 系列产品线。该模块采用了先进的碳化硅 MOSFET 技术，具有高效、高可靠性以及优异的热管理能力，适用于需要高功率密度和高效率的应用场景。VUC25-12G02 采用双管（Dual）配置，支持高达 250A 的连续工作电流，额定电压为 1200V，适合用于工业电机驱动、电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器和储能系统等领域。

参数

额定电压：1200V
　　额定电流：250A
　　导通电阻：12mΩ（典型值）
　　封装形式：双管（Dual）
　　最大工作温度：150°C
　　热阻（Rth）：0.15 K/W
　　短路耐受能力：600A（10μs）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　绝缘等级：符合 IEC 60664-1 标准

特性

VUC25-12G02 模块的核心优势在于其采用的碳化硅（SiC）MOSFET 技术，这使得该器件在高频开关应用中表现出色，具有较低的开关损耗和导通损耗。与传统的硅基 IGBT 相比，VUC25-12G02 在相同功率等级下可实现更高的效率和更小的系统尺寸。
　　此外，该模块具有优异的热传导性能，热阻（Rth）仅为 0.15 K/W，能够在高功率密度环境下保持稳定的温度管理，延长器件寿命。内置的双管（Dual）结构支持灵活的拓扑配置，如半桥、H 桥或并联使用，适应多种电路设计需求。
　　VUC25-12G02 还具备较强的短路耐受能力（高达 600A，持续时间 10μs），增强了系统的鲁棒性和可靠性。其封装设计符合 IEC 60664-1 的绝缘标准，确保在高压环境下的安全运行。
　　该模块还具备良好的电磁兼容性（EMC）性能，适用于对电磁干扰敏感的应用场景。整体设计支持高速开关操作，减少无源元件的体积，从而提高系统的整体功率密度和能效。

应用

VUC25-12G02 广泛应用于需要高功率密度、高效率和高可靠性的电力电子系统中。常见的应用场景包括工业变频器、伺服驱动器、可再生能源系统（如光伏逆变器）、储能系统、电动汽车充电设备（如 DC 快充桩）以及电动交通工具的主驱逆变器等。
　　在电动汽车领域，该模块可作为主驱逆变器中的核心功率器件，提供高效的能量转换能力，提升整车续航能力和动力性能。在工业自动化领域，VUC25-12G02 可用于高性能电机驱动系统，实现节能降耗和系统小型化的目标。
　　此外，该模块还可用于不间断电源（UPS）、电能质量调节设备（如有源滤波器）和智能电网设备中，支持绿色能源的高效利用和电网稳定性控制。