时间：2025/8/6 6:27:05
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VUB72-16N0是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流和高效率应用设计。这款MOSFET采用先进的沟槽式技术，以实现低导通电阻和卓越的热性能。VUB72-16N0通常用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及电池供电设备等应用。其封装形式为PowerFLAT 5x6，具有良好的散热性能，同时适合高密度PCB设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：160 V
最大栅源电压(Vgs)：±20 V
最大连续漏极电流(Id)：72 A
导通电阻(Rds(on))：10.5 mΩ @ Vgs = 10 V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
功率耗散(Pd)：100 W
输入电容(Ciss)：2800 pF @ Vds = 50 V
VUB72-16N0具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高整体系统效率。在Vgs为10V时，Rds(on)仅为10.5mΩ，这在同类产品中具有竞争力。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构，优化了电流密度和热分布，从而提升了器件的可靠性和使用寿命。
此外，VUB72-16N0具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流可达72A，适用于高功率密度设计。其封装形式为PowerFLAT 5x6，这种无引脚封装不仅减少了寄生电感，还提升了散热性能，使得该器件能够在高负载条件下稳定运行。
该器件的输入电容较低（Ciss为2800pF），有助于降低开关损耗，提高开关速度，适用于高频操作环境。同时，其栅极驱动电压范围宽广，支持+10V至+20V的驱动电压，兼容多种栅极驱动电路设计。
最后，VUB72-16N0的温度耐受范围广泛，可在-55°C至175°C的温度范围内稳定工作，适应工业级和汽车级应用的需求。这种高可靠性使得它在恶劣环境中依然能保持稳定的性能。
VUB72-16N0因其高电流承载能力、低导通电阻和优异的热性能，被广泛应用于多个领域。其中，主要包括电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、工业自动化设备以及电动工具等。
在电源管理方面，VUB72-16N0适用于高效率的同步整流电路，能够显著提升转换效率。在电机控制应用中，其快速开关能力和高电流容量使其成为高性能H桥驱动电路的理想选择。此外，在电池供电设备中，该器件的低Rds(on)特性有助于延长电池续航时间。
由于其PowerFLAT封装具有良好的散热性能，VUB72-16N0也常用于高密度PCB设计中，如服务器电源、通信设备电源模块和汽车电子系统（如车载充电器和DC-DC转换器）等。该器件的工业级温度范围也使其适用于户外设备和极端环境下的应用。
IPW60R017C7, STD100N150K5, STB100N150K5, IRFP260N
