时间：2025/8/6 8:13:48
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VUB71-16N01 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET器件，采用先进的沟槽栅极技术和优化的封装设计，适用于高效率电源转换系统。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
连续漏极电流（ID）：16A
导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω（最大）
栅极电压（VGS）：±20V
功耗（PD）：100W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220FP
VUB71-16N01 具备多项优异特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其导通电阻 RDS(on) 仅为 0.38Ω，在额定电流下可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的漏源耐压高达 600V，能够满足大多数高压电源转换需求，并具备良好的雪崩击穿能力，提高了器件的可靠性。
其次，该MOSFET采用了高热效率的 TO-220FP 封装，有效降低了热阻，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作温度。其栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容常见的驱动电路设计，简化了驱动器的选择和设计流程。
此外，VUB71-16N01 在制造过程中采用了先进的沟槽栅极技术，优化了载流子分布，从而在保持高性能的同时实现更小的芯片面积，降低了整体成本。这种设计也提高了器件的开关速度，减少了开关损耗，非常适合高频开关应用，如PFC（功率因数校正）电路、LLC谐振变换器等。
综上所述，VUB71-16N01 是一款适用于中高功率应用的高性能MOSFET，具备良好的电气性能、热稳定性和成本优势，是工业电源、家用电器和电动工具等领域的理想选择。
VUB71-16N01 主要用于各种高效率电源管理系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、PFC（功率因数校正）电路、DC-DC转换器、电机控制电路、逆变器以及LED照明驱动电源等。其高耐压和低导通电阻的特性使其在高压电源转换系统中表现出色，尤其适用于对能效和散热性能有较高要求的应用场景。
STF16N60DM2, STW15NK60Z, FQA16N60C_H
