时间：2025/8/5 15:10:59
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VUB160-12NOX 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率晶体管（Power MOSFET），属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高电流、高电压应用，具有出色的导通电阻和热性能，适用于需要高效能的电源管理与功率转换系统。VUB160-12NOX 采用先进的 PowerFLAT? 5x6 封装技术，具备良好的散热能力，适合在紧凑型设计中使用。
类型: N 沟道 MOSFET
漏极电流（ID）: 120 A
漏源电压（VDS）: 120 V
栅源电压（VGS）: ±20 V
导通电阻（RDS(on)）: 1.6 mΩ（典型值）
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
封装类型: PowerFLAT? 5x6
VUB160-12NOX 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其 RDS(on) 典型值仅为 1.6 mΩ，在高电流应用中可以显著减少发热。
此外，该器件支持高达 120A 的漏极电流和 120V 的漏源电压，使其适用于高功率密度设计。栅源电压范围为 ±20V，确保了在不同控制电路下的可靠工作。
VUB160-12NOX 采用 PowerFLAT? 5x6 封装，具有良好的热管理性能，能够在高温环境下稳定运行。这种封装还具有较小的占板面积，非常适合空间受限的应用。
该器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +175°C，确保了在极端温度条件下的稳定性和可靠性，适用于工业、汽车和消费类电子产品。
VUB160-12NOX 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关以及电源管理模块。
在工业自动化设备中，它可用于高效的电源转换模块，提高整体能效并减少热量产生。
在汽车电子领域，该器件适用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等关键部件。
由于其高电流承载能力和良好的热性能，VUB160-12NOX 也常用于服务器电源、电信基础设施和 UPS（不间断电源）等高可靠性系统中。
STL160N12F7, IPB160N12N3, IPP160N12N3
