时间：2025/8/6 7:49:23
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VUB120-12N01是一款由Vishay公司生产的高效能N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效率和快速开关性能的电源管理应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性，使其成为工业电源、电机控制、DC-DC转换器和电池管理系统中的理想选择。VUB120-12N01采用先进的沟槽式MOSFET技术，能够在高频率下保持稳定的工作状态，同时提供良好的电流处理能力。
类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：120V
最大漏极电流（Id）：80A（Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.2mΩ，最大值为1.7mΩ（Vgs=10V）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V至4.0V
最大功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
VUB120-12N01具备多项优异特性，使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。首先，其极低的导通电阻可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件的高耐压能力（120V）允许其在高压环境中稳定工作，适用于各种高电压电源系统。此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统整体性能。
VUB120-12N01采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能，能够承受较大的电流和功率。该封装形式还便于PCB布局，提高生产效率。在热稳定性方面，该器件具有出色的热阻性能，能够在高温环境下保持稳定的导通和开关特性。
此外，VUB120-12N01还具备高雪崩能量耐受能力，能够在突发的高电压冲击下保持稳定运行，避免因瞬态电压导致的器件损坏。这一特性对于工业自动化设备、电机驱动和电池管理系统等应用尤为重要。
VUB120-12N01广泛应用于多种高功率电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关。其高效的导通性能和快速的开关能力使其在高频开关电源中表现出色，能够显著提升电源系统的整体效率。此外，该器件还可用于汽车电子系统、太阳能逆变器以及UPS（不间断电源）系统等对可靠性和效率要求较高的应用场景。
SiHF120N120D、IPB120N12N3 G、IXFN80N120
