时间：2025/7/22 17:43:42
阅读：13
VTP175UDIIF 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率和高功率应用而设计，具备出色的导通性能和热稳定性，适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器、电池管理系统等多种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：150V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：75A（在Tc=25°C时）
导通电阻(Rds(on))：约3.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
VTP175UDIIF 具有极低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用中具有较低的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。该器件采用先进的沟槽栅技术，提供出色的开关性能和稳定性。此外，其高耐压能力和优异的热管理特性使其能够在严苛的工作环境中保持稳定运行。
该MOSFET的封装形式为TO-247，便于安装和散热，适合用于需要高效散热的高功率应用。其栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间工作，确保了与多种驱动电路的兼容性。
同时，VTP175UDIIF 还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了器件在异常工况下的可靠性。这使得它在工业电源、电机驱动和汽车电子等高要求的应用中表现出色。
VTP175UDIIF 主要应用于高功率密度电源系统，如DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）、电动工具、工业电机控制、太阳能逆变器以及电动车充电系统等。由于其优异的导通性能和高耐压特性，它也常用于高频开关电源和高效率功率转换电路中。
STP175N15D2AG；IRFP4468PbF；SiHF4410
