晶体管类型：NPN + PNP 双极型晶体管
　　集电极电流（Ic）：100mA（每个晶体管）
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V（NPN），-30V（PNP）
　　最大发射极-基极电压（Veb）：5V（NPN），-5V（PNP）
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz（典型值）
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据工作电流不同）
　　封装类型：SOIC-8
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

VTC5704-RC 具有多个显著的性能特点，使其适用于多种电子电路设计。
　　首先，该器件采用 NPN 和 PNP 晶体管组合设计，能够在同一封装中实现互补操作，适用于差分放大器、推挽输出级和电平转换电路等应用场景。这种集成设计有助于减少 PCB 板上的元件数量，提高电路的集成度和稳定性。
　　其次，该晶体管对具有高电流增益（hFE）范围，能够在不同的工作电流下提供良好的放大性能。其 hFE 值可在 110 至 800 之间变化，具体取决于集电极电流的大小，这使得 VTC5704-RC 能够适应多种放大和开关应用。
　　此外，该器件的工作频率较高，具有 100MHz 的增益带宽积（fT），能够满足中高频放大器的需求。同时，其低噪声系数也使其适用于前置放大器和信号处理电路。
　　VTC5704-RC 还具有良好的温度稳定性，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内工作，适用于工业控制、汽车电子和通信设备等要求严苛的环境。
　　最后，该器件采用 SOIC-8 封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适合表面贴装工艺，便于自动化生产和 PCB 布局。

VTC5704-RC 广泛应用于多个电子领域。在模拟电路中，它常用于构建差分放大器、运算放大器输入级和电压跟随器等电路。在数字电路中，该器件可用于构建 TTL 或 CMOS 电平转换器，实现不同电压域之间的信号兼容。在电源管理应用中，VTC5704-RC 可作为电流镜或基准电流源，提供稳定的偏置电流。此外，该器件也可用于音频放大器的前置级或驱动级，提供低噪声和高保真的信号放大。在汽车电子和工业控制系统中，VTC5704-RC 可用于传感器信号调理、继电器驱动和电机控制等应用。由于其高可靠性和宽工作温度范围，该器件也适用于航空航天和军事电子等高要求的领域。

2SC4116-R, 2SA1583-L, MMBT2907A-TP, BC857B