VT7004-08 时间：2025/8/19 9:22:27 阅读：5

VT7004-08是一款由Vishay Siliconix公司制造的功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等高效率功率转换场合。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有极低的导通电阻和优异的开关性能，适用于需要高效率、小尺寸和高可靠性的设计需求。VT7004-08采用8引脚PowerPAK封装，具备良好的热性能和电气性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：11A
　　导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：PowerPAK 8x8
　　功耗(PD)：3.3W
　　栅极电荷(Qg)：23nC

特性

VT7004-08 MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，使其在低电压应用中表现出色，特别是在功率转换效率方面具有明显优势。该器件的导通电阻极低，仅为8.5mΩ，能够有效降低导通损耗，提高整体系统的能效。
　　此外，VT7004-08具有较高的电流承载能力，额定漏极电流为11A，适用于高负载应用场景。其栅极电荷（Qg）为23nC，有助于降低开关损耗，使MOSFET在高频开关应用中表现良好。
　　该器件的封装形式为PowerPAK 8x8，具备优异的热管理能力，能够快速散热，确保在高功率运行时的稳定性与可靠性。这种封装还支持表面贴装工艺，适用于自动化生产和高密度PCB布局。
　　VT7004-08的工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。同时，其栅源电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制稳定性和抗干扰能力。