型号：VT22529-5
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：双通道N沟道MOSFET
　　封装类型：PowerPAK SO-8L
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大连续漏极电流（ID）：17 A（单通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：10.5 mΩ（@ VGS = 10 V）
　　导通电阻（RDS(on)）：13 mΩ（@ VGS = 4.5 V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0 V ~ 2.0 V
　　栅极电荷（Qg）：11 nC（@ VGS = 10 V）
　　输入电容（Ciss）：605 pF
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：2
　　逻辑电平兼容：是（支持4.5V驱动）

VT22529-5采用Vishay先进的TrenchFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，特别适用于高效率电源转换应用。其双通道N沟道结构集成在一个小型SO-8L封装内，显著减少了PCB布局面积，提高了功率密度。每个通道的典型导通电阻仅为13mΩ（在VGS=4.5V条件下），这降低了传导损耗，提升了整体能效，尤其适合电池供电设备中对功耗敏感的设计。
　　该器件的栅极电荷（Qg）低至11nC，意味着在高频开关应用中所需的驱动能量更少，从而降低了驱动电路的负担并减少了开关损耗。同时，较低的输出电容（Coss）和反向恢复电荷（Qrr）进一步优化了动态性能，使其在同步整流和DC-DC降压变换器中表现出色。由于支持逻辑电平驱动，VT22529-5可直接与微控制器、PWM控制器或逻辑门电路接口，无需额外的电平转换或复杂的栅极驱动器电路。
　　PowerPAK SO-8L封装具有优异的热传导性能，通过底部散热焊盘将热量高效传递至PCB，增强了器件的热稳定性与长期可靠性。该封装还减少了寄生电感，有助于抑制开关过程中的电压振铃现象，提高系统的EMI性能。器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，表明其在严苛环境下的耐用性，可用于车载信息娱乐系统或车身控制模块等应用。
　　此外，VT22529-5具备良好的雪崩耐受能力，在瞬态过压条件下仍能保持稳定运行。其栅氧化层经过优化设计，提高了抗静电（ESD）能力，增强了生产过程中的鲁棒性。所有材料均符合RoHS指令，并且为无卤素产品，满足绿色电子制造的要求。综合来看，VT22529-5是一款高性能、高集成度的功率MOSFET，适用于追求小型化、高效率和高可靠性的现代电源系统设计。

VT22529-5广泛应用于多种需要高效功率开关的场合，尤其适合用于同步整流型DC-DC降压转换器中作为上管和下管使用。其低导通电阻和快速开关特性使其成为笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备中电源管理单元的理想选择。在这些应用中，它能够有效降低电源转换过程中的能量损耗，延长电池续航时间。
　　该器件也常用于服务器和通信设备中的多相电压调节模块（VRM），为CPU和GPU提供稳定的低压大电流供电。其双通道集成设计简化了电路布局，减少了元件数量，提高了系统可靠性。此外，在电机驱动电路中，VT22529-5可用于H桥拓扑结构中的低端开关，实现对小型直流电机或步进电机的精确控制。
　　在负载开关应用中，VT22529-5可作为主控开关用于电源路径管理，实现对不同功能模块的上电和断电控制，防止浪涌电流冲击。其快速开启和关闭能力有助于实现精确的时序控制。在热插拔电路中，该器件也能提供可靠的电流限制和软启动功能，保护后级电路免受损坏。
　　由于其具备良好的热性能和电气稳定性，VT22529-5还可用于工业自动化设备、医疗电子设备以及消费类家电中的电源转换和功率控制模块。其符合汽车级标准的特点也使其适用于车载充电器、ADAS传感器电源和车内照明控制系统等汽车电子应用领域。

SiSS098DN-T1-GE3,SiS346DN,SZTPS6107D0DDCR,SZUFD2030L