VT22192- 时间：2025/12/27 21:45:03 阅读：21

VT22192- 是一款由Vishay Siliconix生产的N沟道TrenchFET功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的开关特性，能够在较小的封装内提供较大的电流承载能力，适用于空间受限但对性能要求较高的应用场合。VT22192-系列通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中的电源管理模块。其高输入阻抗和快速开关响应使其成为替代传统双极型晶体管的理想选择。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，可在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业、消费类电子及便携式设备使用。器件符合RoHS环保标准，并具备无铅（Pb-free）和绿色环保特性，满足现代电子产品对环境友好设计的要求。

参数

型号：VT22192-
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：18A
　　脉冲漏极电流（IDM）：72A
　　导通电阻 RDS(on) @ VGS = 10V：11.5mΩ
　　导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5V：14.5mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）典型值：1.5V
　　输入电容（Ciss）：1070pF
　　输出电容（Coss）：340pF
　　反向传输电容（Crss）：70pF
　　栅极电荷（Qg）@10V：23nC
　　上升时间（tr）：15ns
　　下降时间（tf）：10ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8L

特性

VT22192- 采用先进的TrenchFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，从而显著降低了导通损耗和动态损耗，提高了整体系统效率。其11.5mΩ的低RDS(on)在30V N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适合大电流应用场景，如同步整流和高效率DC-DC降压变换器。器件的栅极电荷（Qg）仅为23nC，在高频开关应用中可有效减少驱动功耗，提升电源系统的开关频率上限。同时，较低的输入电容和反向传输电容有助于减少噪声耦合和米勒效应，增强电路稳定性。
　　该器件具备优良的热性能，得益于PowerPAK SO-8L封装的高效散热设计，能够通过PCB焊盘将热量迅速传导至外部环境，避免因局部过热导致性能下降或器件损坏。此外，VT22192-具有较强的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性，适用于存在感性负载或电压突变的工业控制环境。其阈值电压典型值为1.5V，确保在低电压逻辑信号下也能可靠开启，兼容3.3V或5V驱动电路。
　　在可靠性方面，VT22192-经过严格的生产测试和质量控制流程，具备高抗湿性、抗机械应力和长期稳定性。器件支持无铅回流焊接工艺，适应现代自动化贴片生产线。其封装不含卤素，符合IPC/JEDEC的MSL3级湿敏等级要求，便于存储和使用。总体而言，VT22192-是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于追求小型化、高效率和高功率密度的设计需求。

应用

VT22192- 广泛应用于各类中等电压、大电流的开关电源系统中。典型应用包括同步整流型DC-DC降压转换器，尤其在主板供电、GPU核心电源、笔记本电脑电源管理单元中作为上下管使用；也可用于负载开关电路，实现对不同功能模块的上电时序控制和电流限制保护。在电池供电设备如移动电源、手持终端和无人机中，该器件可用于电池充放电管理路径的通断控制，因其低导通电阻可显著降低待机功耗和发热。
　　此外，VT22192-适用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为开关元件，提供快速响应和高效能转换。在热插拔控制器、USB PD电源路径管理、服务器电源模块等需要高可靠性与紧凑设计的场景中也表现出色。由于其良好的高温工作能力，还可用于工业自动化设备、网络通信设备和嵌入式控制系统中的电源切换与保护电路。总之，凡是对效率、尺寸和热性能有较高要求的低压功率开关应用，VT22192-均是一个理想的选择。