型号：VSWA2-63DR+
　　工作频率：DC ~ 4 GHz
　　配置类型：单刀双掷（SPDT），常闭型
　　供电电压：+12 V DC
　　驱动电流：典型值 35 mA
　　切换时间（上升/下降）：≤ 8 ms
　　插入损耗：≤ 0.8 dB（最大值，典型值约 0.5 dB）
　　隔离度：≥ 60 dB @ 1 GHz，≥ 50 dB @ 4 GHz
　　回波损耗：≥ 20 dB（对应VSWR ≤ 1.2:1）
　　功率处理能力：连续波（CW）最大 1 W
　　接口类型：SMA母头（两侧）
　　封装形式：表面贴装（SMT）
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +100°C
　　重量：约 3.5 克

VSWA2-63DR+ 作为一款高性能电磁式射频开关，具备多项显著的技术特性，使其在复杂的射频系统中表现出色。
　　首先，其宽频带操作能力覆盖从直流（DC）到4 GHz的频率范围，适用于多种射频和微波应用场景，包括蜂窝通信、Wi-Fi、雷达系统和宽带测试仪器等。在整个工作频段内，该开关保持极低的插入损耗（最大0.8 dB），这意味着信号在通过主通路时的能量损失非常小，有助于维持系统的信噪比和动态范围。同时，其高隔离度特性（在1 GHz下可达60 dB以上）有效防止了非选通路径对主信号路径的干扰，提升了多通道系统中的信号纯净度。
　　其次，该器件采用电磁驱动机制，结合精密机械结构设计，实现了稳定可靠的物理触点切换。常闭（NC）工作模式意味着在无电源供应时，默认路径保持导通状态，这一特性在某些安全或冗余要求较高的系统中尤为重要，例如当系统突然断电时仍能保持基本通信链路不中断。
　　再者，VSWA2-63DR+ 支持+12V直流驱动电压，典型驱动电流仅为35mA，功耗较低，适合集成于对能耗敏感的设备中。其切换时间小于8ms，虽然不属于高速固态开关级别，但对于大多数自动化测试和手动切换应用而言已足够迅速。
　　结构方面，该开关采用全金属屏蔽外壳，不仅增强了机械强度，还提供了卓越的电磁屏蔽性能，减少外部干扰对内部信号路径的影响。SMA母头接口设计便于使用标准射频电缆进行连接，适合实验室和现场调试环境。表面贴装封装则有利于实现自动化生产装配，提高制造效率和一致性。
　　最后，该器件经过严格的老化测试和环境适应性验证，可在-55°C至+85°C的极端温度范围内稳定运行，满足军用和工业级应用的标准。其寿命长达百万次以上切换操作，展现出优异的耐久性和长期稳定性，是高性能射频开关领域的可靠选择。

VSWA2-63DR+ 广泛应用于多个需要高频信号切换的电子系统中，尤其适合对信号完整性、可靠性和环境适应性有较高要求的场合。
　　在自动测试设备（ATE）中，该开关被用于构建多通道信号路由网络，实现被测器件（DUT）与不同激励源或分析仪器之间的动态连接。例如，在射频集成电路（RFIC）或功率放大器模块的批量测试中，可通过多个VSWA2-63DR+ 开关组合成矩阵开关系统，自动切换输入激励信号或输出测量路径，从而提高测试效率并降低人工干预成本。
　　在通信系统开发与验证过程中，该器件可用于天线切换、滤波器组选择或多频段信号路径管理。例如，在多输入多输出（MIMO）系统原型设计中，工程师可利用此类开关在不同天线之间快速切换，评估各通道的性能差异。
　　此外，VSWA2-63DR+ 也常见于雷达和电子战（EW）系统中的前端模块，用于实现发射与接收路径的切换或备用通道的冗余切换。其高隔离度和低VSWR特性确保了在高频工作条件下不会引入明显的信号反射或串扰，保障系统灵敏度和抗干扰能力。
　　科研和教育领域同样广泛采用该器件，因其接口标准化、性能稳定且易于集成，非常适合用于搭建教学实验平台或研究用射频测试平台。例如，在毫米波前端子系统的研究初期阶段，尽管其频率上限为4GHz，但仍可用于低频段的原理验证和电路调试。
　　最后，在现场可更换单元（LRU）维护系统或远程监控设备中，VSWA2-63DR+ 可作为故障旁路开关使用，当某条信号链路出现异常时，控制系统可远程指令切换至备用路径，实现不间断运行，提升系统可用性。

ZASWA-2-50DR+
　　SWA-2-5-130
　　VSWA2-63DR