时间：2025/7/18 15:02:33
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VSP01M01ZWD 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，主要用于高功率、高频应用，例如电源转换器、电机驱动和负载开关等场景。这款器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻和高可靠性，适合需要高效能和高稳定性的电路设计。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：最大值 1.75mΩ（典型值 1.35mΩ）
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：TO-263（表面贴装）
VSP01M01ZWD 具有极低的导通电阻（Rds(on)），这使其在高电流应用中能够有效减少功率损耗并提高整体效率。该器件的沟槽式设计优化了载流子的分布，从而降低了导通电阻并提高了热稳定性。
此外，该 MOSFET 的最大漏源电压为 100V，能够支持广泛的电压应用，包括中高压电源转换和电机控制。其高栅源电压耐受性（±20V）确保了在高噪声环境中器件的可靠性。
由于其封装为 TO-263，VSP01M01ZWD 非常适合表面贴装工艺，从而简化了 PCB 设计并提高了生产效率。该封装还提供了良好的散热性能，有助于维持器件在高负载条件下的稳定运行。
此 MOSFET 的高功率耗散能力（200W）使其适用于高功率密度设计，例如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关。此外，其宽工作温度范围（-55°C ~ 175°C）确保了在恶劣环境条件下的可靠运行。
VSP01M01ZWD 广泛应用于电源管理系统，包括 AC-DC 电源、DC-DC 转换器和同步整流器。此外，它也适用于需要高电流和低导通电阻的负载开关和电机驱动电路。
在电动汽车和工业自动化领域，这款 MOSFET 可用于高效能功率转换模块，以满足对能效和可靠性的高要求。同时，它还适合用于电池管理系统（BMS）和储能系统中的高功率开关控制。
消费类电子产品中，如高性能电源适配器和大功率 LED 照明系统，该器件也具有广泛的应用空间。
SiR142DP-T1-GE3, IPB01N04N3 G, FDP6670, IRF1405
