型号：VS40200AP
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：40 V
　　最大连续漏极电流（ID）：20 A（在TC = 25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：80 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　阈值电压（VGS(th)）：1.2 V ~ 2.3 V（在VGS = VDS, ID = 250 μA）
　　导通电阻（RDS(on)）：10.5 mΩ（在VGS = 10 V, ID = 10 A）
　　导通电阻（RDS(on)）：13 mΩ（在VGS = 4.5 V, ID = 10 A）
　　输入电容（Ciss）：1070 pF（在VDS = 20 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz）
　　输出电容（Coss）：390 pF
　　反向传输电容（Crss）：90 pF
　　栅极电荷（Qg）：30 nC（在VDS = 30 V, ID = 20 A, VGS = 10 V）
　　开启延迟时间（td(on)）：8 ns
　　上升时间（tr）：40 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：35 ns
　　下降时间（tf）：20 ns
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L

VS40200AP采用Vishay成熟的TrenchFET技术，通过优化的沟槽结构实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。这种先进工艺显著降低了单位面积下的RDS(on)，使得器件能够在较小封装内承载更高的电流，提升了功率密度。其10.5 mΩ的低导通电阻在VGS = 10 V条件下可有效减少导通期间的能量损耗，特别适用于高效率同步整流拓扑中作为下管使用。同时，在4.5 V逻辑电平驱动下仍保持13 mΩ的低RDS(on)，确保了与现代低电压控制器的良好兼容性，支持在3.3 V或5 V系统中直接驱动。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg = 30 nC）和米勒电荷（Qgd），有助于减小驱动损耗并加快开关速度，从而降低整体开关损耗，提升电源转换效率。此外，其输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）经过优化，有利于高频操作下的稳定性与EMI控制。PowerPAK SO-8L封装无引线设计不仅减小了寄生电感，还提高了散热效率，使热量更有效地从芯片传递到PCB，增强了热循环可靠性。
　　VS40200AP具备出色的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压或感性负载切换情况下的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保在极端环境温度下仍能可靠运行，适用于汽车电子、工业电源等对可靠性要求较高的领域。此外，该器件通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查阅最新数据手册确认），进一步扩展了其在车载应用中的适用性。所有这些特性共同使VS40200AP成为高性能、紧凑型电源系统中的优选MOSFET器件。

VS40200AP广泛用于各类需要高效能、小尺寸功率开关的电源系统中。典型应用包括同步降压转换器中的主开关或整流开关，尤其适用于多相VRM（电压调节模块）设计，如CPU/GPU供电系统。由于其低导通电阻和高电流能力，它也常用于负载开关电路，实现对不同功能模块的上电/断电控制，以节省待机功耗。在便携式设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，该器件被用于电池管理系统中的充放电通路控制，提供高效的能量传输路径。
　　在DC-DC变换器中，VS40200AP可用于隔离与非隔离拓扑的次级侧同步整流，替代传统肖特基二极管，大幅降低导通压降，提升转换效率，减少发热。其快速开关特性也使其适用于高频率操作（数百kHz至MHz级别）的开关电源设计，满足现代电源对小型化和高功率密度的需求。此外，在电机驱动、LED驱动电源及热插拔控制器中，该MOSFET也能发挥出色的性能表现。
　　工业自动化设备、网络通信电源模块以及消费类电子产品中的热管理单元同样可以采用VS40200AP来实现精确的电源控制与分配。其PowerPAK封装易于表面贴装，适合自动化生产流程，同时具备良好的热传导性能，有助于简化散热设计。对于追求高效率、长续航和高可靠性的系统而言，VS40200AP是一个成熟且经过验证的解决方案。

SiSS108DN-T1-GE3
　　IRLHS6242TRPBF
　　BSC010N04LS