VS100B-24 时间：2025/12/22 18:05:09 阅读：23

VS100B-24是一款由Vishay Semiconductors生产的N沟道TrenchFET?功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、高密度的电源管理应用设计。该器件封装在紧凑的PowerPAK? SO-8单通道封装中，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于多种开关电源拓扑结构。VS100B-24的设计目标是最大限度地降低传导损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。其高电流处理能力、快速开关特性以及良好的栅极电荷表现使其成为同步整流、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等应用中的理想选择。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗雪崩能力和可靠性，能够在严苛的工作环境下稳定运行。得益于Vishay在功率MOSFET领域的深厚积累，VS100B-24在性能与尺寸之间实现了良好平衡，广泛应用于通信设备、计算平台、工业控制和消费类电子产品中。

参数

型号：VS100B-24
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：110A
　　脉冲漏极电流（IDM）：396A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V：2.4mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：3.3mΩ
　　栅极电荷（Qg）典型值：57nC
　　输入电容（Ciss）典型值：3300pF
　　开启延迟时间（td(on)）：14ns
　　关断延迟时间（td(off)）：34ns
　　反向恢复电荷（Qrr）：79nC
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

VS100B-24采用了Vishay先进的TrenchFET?技术，通过优化沟槽结构显著降低了导通电阻RDS(on)，同时提升了单位面积下的电流密度。这种技术使得器件在低电压大电流应用场景下表现出色，尤其适合用于现代高性能计算平台中的多相降压变换器。其超低的2.4mΩ导通电阻在10V栅压下可大幅减少功率损耗，提升能效，有助于实现更小体积、更高效率的电源设计。器件还具备较低的栅极电荷（Qg），这意味着驱动电路所需的能量更少，从而降低了驱动损耗并提高了开关频率下的整体效率。对于高频操作而言，低Qg与低输出电容（Coss）相结合，能够有效减少开关过程中的能量损耗。
　　此外，VS100B-24具有出色的热性能，得益于PowerPAK? SO-8封装的优化散热路径设计，热量可以从顶部和底部同时传导至PCB，增强了热稳定性，允许在高负载条件下长时间运行而不过热。该封装无铅且符合RoHS标准，支持自动化表面贴装工艺，适用于回流焊生产线。器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供一定的自我保护机制，提高了系统的鲁棒性。其稳定的阈值电压（Vth）和一致的器件特性也确保了批量使用时的良好匹配性，特别适合并联应用以进一步提升电流承载能力。

应用

VS100B-24主要应用于需要高效能、高电流密度的电源管理系统中。典型应用包括服务器和台式机主板上的多相同步降压转换器，用于为核心处理器（CPU）、图形处理器（GPU）等提供稳定的低压大电流供电。它也常用于笔记本电脑、移动工作站和其他便携式设备中的DC-DC电源模块，满足对空间和效率的双重需求。在电信和网络设备中，VS100B-24可用于POL（Point-of-Load）电源转换，将中间母线电压（如12V）高效转换为ASIC、FPGA或内存所需的低电压。此外，在电池管理系统（BMS）、电动工具、无人机电源模块以及工业电机驱动电路中，该器件也可作为主开关或同步整流管使用，提供快速响应和低损耗的功率切换能力。由于其高可靠性和宽温度范围，VS100B-24同样适用于汽车电子辅助系统（非车规级但可用于部分工业级环境）以及测试测量仪器中的高密度电源设计。