时间：2025/7/10 10:37:30
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VS-6TQ045PBF 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的高效功率 MOSFET，专为高电压和高效率应用场景设计。其采用先进的 TO-247 封装形式，具有出色的热性能和电气性能，适用于工业电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等领域。
该器件通过优化的沟槽结构和先进的制造工艺，在开关速度和导通电阻之间实现了良好的平衡，从而显著降低了系统的能量损耗。
型号：VS-6TQ045PBF
类型：MOSFET
材料：碳化硅 (SiC)
Vds（漏源极击穿电压）：1200V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：45mΩ
Id（连续漏极电流）：30A
Qg（总栅极电荷）：85nC
Eoss（输出电容储能）：90μJ
RthJC（结到壳热阻）：0.2°C/W
封装：TO-247-3L
VS-6TQ045PBF 具有以下主要特性：
1. 高电压耐受能力，最高支持 1200V 的漏源极击穿电压，非常适合高压应用。
2. 极低的导通电阻，仅为 45mΩ（典型值），有助于减少导通损耗并提高整体效率。
3. 快速开关性能，得益于 SiC 材料的优异特性，能够实现更低的开关损耗。
4. 出色的热性能，RthJC 热阻仅为 0.2°C/W，确保在高功率应用中保持稳定的温度表现。
5. 高可靠性设计，符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级和其他严苛环境下的应用。
6. 小巧紧凑的 TO-247 封装形式，便于集成到各种功率转换系统中。
VS-6TQ045PBF 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源供应器，包括不间断电源 (UPS) 和服务器电源。
2. 太阳能逆变器，用于将直流电转换为交流电以供家庭或电网使用。
3. 电动汽车充电桩，支持快速充电功能并提升充电效率。
4. 电机驱动器，特别是在需要高效率和高可靠性的工业自动化场景。
5. 高频 DC-DC 转换器，满足现代电子设备对小型化和高效化的严格要求。
6. 特殊用途的电力电子设备，如航空航天或军工领域的高可靠性电源解决方案。
VS-6TQ065PBF, CSD19536KTT, SCT2240K
