时间：2025/5/28 17:11:49
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VS-40CPQ100-N3是一款基于硅技术设计的高压、高频率功率MOSFET，主要用于需要高效能开关操作的电路中。该型号属于N沟道增强型场效应晶体管（N-Channel Enhancement Mode MOSFET），适用于广泛的工业和消费类电子产品领域。其封装形式为TO-220，具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻特性，使其在电源管理、电机驱动以及DC-DC转换器等应用中表现出色。
该器件的最大工作电压为40V，并且具备快速开关速度和低栅极电荷的特点，能够有效减少开关损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：100A
导通电阻（Rds(on)）：3mΩ
栅极电荷：50nC
输入电容：1200pF
功耗：20W
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 高电流处理能力，可达到100A的连续漏极电流。
2. 极低的导通电阻（3mΩ），有助于降低传导损耗。
3. 快速开关性能，适合高频应用场合。
4. 具备优异的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常运行。
5. 封装采用标准TO-220形式，便于安装和散热设计。
6. 内置保护机制，如过温关断功能，增强了器件的安全性。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器及同步整流电路。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 汽车电子系统的负载切换和保护。
5. 大功率LED驱动器的设计。
6. 工业自动化设备中的功率调节模块。
IRFZ44N, STP100NF06L, FDP16N40
