VRH2801NTX 时间：2025/5/12 12:49:41 阅读：5

VRH2801NTX 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高效率、低导通电阻的应用而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，能够提供出色的开关性能和较低的功耗，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等应用场合。
　　该 MOSFET 具有较小的封装尺寸，同时保持了良好的散热性能，适合需要紧凑设计的电子产品。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：6.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.9mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　栅极电荷：15nC（典型值）
　　开关速度：快速开关
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

特性

1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低导通损耗并提升系统效率。
　　2. 快速的开关速度，支持高频开关应用。
　　3. 小型封装设计，适合空间受限的应用场景。
　　4. 高电流处理能力，确保在高负载条件下的稳定性。
　　5. 较宽的工作温度范围，能够在严苛环境下可靠运行。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。

应用

VRH2801NTX 广泛应用于多种电子设备中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和降压转换。
　　2. 移动设备中的负载开关和电池管理。
　　3. 消费类电子产品的电源管理模块。
　　4. 小型电机驱动和控制电路。
　　5. LED 照明驱动电路。
　　6. 便携式设备中的高效功率转换解决方案。