VRH1502LLX 是一款 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),通常用于功率转换、电机驱动以及负载开关等应用。它具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于需要高效能和小尺寸解决方案的场景。
该器件采用先进的半导体制造工艺,能够提供出色的开关性能和稳定的静态特性。其封装形式为 LLP-3,这种封装不仅节省空间,还提高了散热效率。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:110A
导通电阻:1.6mΩ
栅极电荷:17nC
开关时间:ton=9ns, toff=18ns
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
VRH1502LLX 的主要特点是低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外,其高电流承载能力和快速开关速度使其非常适合高频开关应用。
该器件还具备良好的热稳定性和鲁棒性,能够在恶劣环境下保持可靠运行。同时,LLP-3 封装提供了优异的散热性能,并且与标准 SMD 焊接工艺兼容,便于自动化生产。
其他特性包括:
- 高雪崩能量耐受能力
- 符合 AEC-Q101 标准
- 无铅设计,符合 RoHS 要求
VRH1502LLX 广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
- DC/DC 转换器中的同步整流
- 开关电源(SMPS)
- 电动工具和家用电器中的电机驱动
- 汽车电子系统中的负载切换和保护
- 工业控制设备中的功率管理模块
由于其高性能和可靠性,这款 MOSFET 在汽车级和工业级应用中尤为受欢迎。
VRH1501LLT, VRH1502LLT