时间：2025/6/22 15:16:25
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VRH1402LTX是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合用于DC-DC转换器、开关电源、电机驱动和负载开关等场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷：17nC
开关时间：开态4ns/关态9ns
工作结温范围：-55℃至175℃
VRH1402LTX具有非常低的导通电阻，可显著降低功率损耗，提高系统效率。
其快速的开关速度有助于减少开关损耗，并支持高频操作，从而减小无源元件的尺寸。
该器件具备出色的热性能，能够在高功率密度的应用中保持稳定运行。
此外，VRH1402LTX还具有良好的抗雪崩能力和静电防护特性，提高了系统的可靠性和耐用性。
VRH1402LTX广泛应用于各种需要高效功率转换的场合，包括但不限于：
1. DC-DC转换器中的同步整流
2. 开关模式电源（SMPS）
3. 电机驱动电路
4. 负载开关和保护电路
5. 笔记本电脑及平板设备的电源管理
6. 汽车电子中的电池管理系统（BMS）
IRF7844TRPBF, SI4436DY-T1-E3
