型号：VRFDFC41024ECEE-P2
　　制造商：Vishay Siliconix
　　晶体管类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20 V
　　连续漏极电流（ID）：4.1 A（TA=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：16.4 A
　　栅源电压（VGS）：±12 V
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：24 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 2.5 V：32 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 1.8 V：48 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值 0.65 V，最大值 1.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 390 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 170 pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值 45 pF
　　栅极电荷（Qg）：典型值 8.5 nC @ VGS = 4.5 V
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值 4 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值 10 ns
　　上升时间（tr）：典型值 5 ns
　　下降时间（tf）：典型值 3 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SC-70（双引脚无铅封装）
　　安装方式：表面贴装（SMT）
　　热阻 RθJA：约 125°C/W
　　热阻 RθJC：约 45°C/W

VRFDFC41024ECEE-P2 采用 Vishay 先进的沟槽场效应技术，具备极低的导通电阻，能够在高电流条件下显著降低传导损耗，提升整体系统效率。其在 VGS = 4.5 V 时的 RDS(on) 最大值仅为 24 mΩ，在 VGS = 2.5 V 时为 32 mΩ，而在更低的 1.8 V 栅压下仍可保持 48 mΩ 的低阻特性，这使得它非常适合用于由低压逻辑信号直接驱动的应用场景，如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理电路。该器件的阈值电压较低，典型值为 0.65 V，确保在微弱驱动信号下也能可靠开启，同时避免误触发。
　　该 MOSFET 具有优异的开关性能，得益于较小的栅极电荷（Qg 典型值 8.5 nC）和低输入/输出电容，能够实现快速的开启与关断响应，减少开关过程中的能量损耗，从而提高高频工作的效率。其开启延迟时间仅 4 ns，关断延迟时间为 10 ns，配合短促的上升和下降时间（分别为 5 ns 和 3 ns），可在 DC-DC 变换器中实现更高的工作频率，有助于减小外围电感和电容的尺寸，进而缩小整体电源模块体积。
　　PowerPAK SC-70 封装不仅尺寸小巧（典型尺寸约为 2 mm × 2 mm），还具备优良的散热能力，通过底部暴露焊盘有效将热量传递至 PCB，提升功率密度和长期运行的可靠性。该封装支持回流焊工艺，适合自动化生产，且无铅设计符合环保法规要求。器件的工作结温范围宽达 -55°C 至 +150°C，可在严苛环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。
　　此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，增强了在瞬态过压和突变负载条件下的鲁棒性。内置体二极管具有较低的反向恢复电荷（Qrr），在同步整流拓扑中能有效减少反向恢复损耗，进一步优化系统能效。总体而言，VRFDFC41024ECEE-P2 是一款高性能、高集成度的功率 MOSFET，适用于对效率、尺寸和可靠性均有严格要求的现代电子系统。

该器件广泛应用于需要高效能、小尺寸和低功耗特性的电源管理系统中。典型应用场景包括便携式电子设备中的电池供电路径控制与负载开关，例如智能手机和平板电脑中的屏幕背光或外设电源管理；在同步降压型 DC-DC 转换器中作为上管或下管使用，尤其适合多相供电架构以满足处理器核心电压调节需求；也可用于 USB 充电端口的电流限制与短路保护电路，提供快速响应和低静态功耗表现。此外，该 MOSFET 还适用于电机驱动电路、热插拔控制器、LED 驱动电源以及各类低电压分布式电源系统。由于其具备良好的热稳定性和高开关频率适应能力，也常被用于通信模块、传感器供电单元以及工业手持设备中的电源切换与隔离控制。其低压驱动兼容性使其能够无缝对接微控制器 GPIO 输出，简化电路设计并减少额外电平转换元件的使用。总之，凡是在有限空间内追求高效率功率控制的场合，VRFDFC41024ECEE-P2 均是一个理想选择。

SiS3410DDV-T1-GE3, FDMC7603, AOZ5211AIJ, BSS138LT3G