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VRF2933 发布时间 时间:2025/7/16 16:41:24 查看 阅读:6

VRF2933是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并降低功耗。
  其封装形式通常为TO-220或DPAK,具体取决于制造商的规格。此外,VRF2933在高电流应用中表现出色,并具备良好的热稳定性和耐用性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:35A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  总电容:1350pF
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

VRF2933的主要特点是其卓越的电气性能和可靠性。低导通电阻(Rds(on))使其能够在高负载条件下保持较低的功耗,同时减少发热问题。
  此外,其快速开关能力降低了开关损耗,适合高频操作环境。器件还集成了过流保护和热关断功能,确保在异常情况下的安全运行。
  VRF2933支持表面贴装和通孔安装两种方式,便于灵活设计布局。由于其坚固的设计,该器件在恶劣环境下也能保持长期稳定性。

应用

VRF2933广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机控制与驱动
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 工业自动化设备
  6. 汽车电子系统中的负载切换
  凭借其高效能和紧凑型设计,VRF2933成为许多现代电子系统的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  STP36NF06
  FDP5500

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VRF2933参数

  • 特色产品VRF2933 RF Power Vertical MOSFET
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF FET
  • 系列-
  • 晶体管类型N 通道
  • 频率30MHz
  • 增益22dB
  • 电压 - 测试50V
  • 额定电流40A
  • 噪音数据-
  • 电流 - 测试250mA
  • 功率 - 输出300W
  • 电压 - 额定170V
  • 封装/外壳M177
  • 供应商设备封装M177
  • 包装管件
  • 其它名称VRF2933MPVRF2933MP-ND