类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为 4.5mΩ（在 VGS = 10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）
　　功率耗散（PD）：100W

VRD2528MTX 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得其在高电流条件下仍能保持良好的性能。此外，VRD2528MTX 的封装设计具有优异的热管理能力，能够在高功率应用中有效散热，从而延长器件的使用寿命并提高可靠性。
　　另一个显著特点是其高电流承受能力。VRD2528MTX 的最大漏极电流可达 30A，使其适用于高功率密度的设计。此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，通常在 4.5V 至 20V 之间，允许使用多种类型的栅极驱动电路。
　　VRD2528MTX 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，这使得它在极端环境条件下也能稳定工作。这种宽温度范围的特性使其非常适合用于汽车电子、工业控制和电源管理系统等对可靠性要求较高的应用场合。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏。这种特性在电机驱动、电源开关等应用中尤为重要，能够有效防止因负载突变而导致的器件损坏。

VRD2528MTX 广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。例如，在汽车电子系统中，它可用于电机控制、电池管理系统和车载充电器等应用。其低导通电阻和高电流承受能力使其成为电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）中 DC-DC 转换器和逆变器的理想选择。
　　在工业自动化和控制系统中，VRD2528MTX 可用于伺服电机驱动、继电器替代和高功率开关控制。其优异的热管理和高可靠性确保了在高温和高负载条件下的稳定运行。
　　此外，该 MOSFET 还可用于电源管理模块，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器。在这些应用中，VRD2528MTX 的高效能和低损耗特性有助于提高整体系统的能效，减少能量浪费。

SiS2528N, FDD3802, IRF2807, FDS4822, FDMS8878