时间：2025/6/4 11:06:45
阅读：5
VRB4815LD-30WR3 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的封装技术和材料工艺，能够提供卓越的电气性能和可靠性。其主要应用场景包括开关电源、DC-DC转换器、无线充电模块等高效率要求领域。
由于其低导通电阻和快速开关速度，VRB4815LD-30WR3 能显著降低功率损耗，并在紧凑型设计中表现出色。
型号：VRB4815LD-30WR3
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
漏源极电压(Vds)：600V
连续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
栅极电荷(Qg)：65nC
输入电容(Ciss)：2500pF
最大工作结温：175°C
封装形式：TO-247-3
1. 高效功率转换能力，得益于超低导通电阻和优化的热管理设计。
2. 快速开关速度，减少开关损耗并提升整体系统效率。
3. 高耐压能力，支持高达600V的工作电压，适用于多种高压应用场景。
4. 先进的氮化镓半导体材料保证了出色的电气性能和长期可靠性。
5. TO-247-3标准封装，易于集成到现有电路设计中，同时提供良好的散热性能。
6. 符合RoHS环保标准，确保产品在环境友好方面的合规性。
1. 开关模式电源(SMPS)，如服务器电源和工业电源供应。
2. DC-DC转换器，用于汽车电子和通信设备中的电压调节。
3. 无线充电系统，实现高效的能量传输。
4. 太阳能微型逆变器和储能系统中的功率转换模块。
5. 高频驱动器，例如LED照明驱动和电机控制驱动。
6. 各种需要高效率、高频率工作的电力电子设备。
VRB4815LD-25WR3
VRB4815LD-35WR3
IRGB4062DPBF
