时间：2025/9/12 21:39:00
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VPMS3RT 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 P 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）和高效率的开关性能，适用于需要高可靠性和紧凑设计的电子系统。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：3A
最大漏源电压（Vds）：-20V
最大栅源电压（Vgs）：±12V
导通电阻（Rds(on)）：120mΩ @ Vgs = -4.5V；150mΩ @ Vgs = -2.5V
功率耗散（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-223
VPMS3RT 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够在较小的封装中实现较低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。
该器件的栅极驱动电压范围较宽（-2.5V 至 -4.5V），使其适用于多种低压控制电路，例如由微控制器或数字逻辑电路直接驱动。
其 SOT-223 封装提供了良好的散热性能，适合在空间受限的设计中使用。
此外，VPMS3RT 具有快速开关特性，能够减少开关损耗，并支持高频操作，适用于 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等应用。
该器件具有较高的热稳定性和过载能力，能够在恶劣的环境条件下可靠运行。
VPMS3RT 广泛应用于便携式电子设备、电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备、工业控制系统以及汽车电子系统等场景。由于其低导通电阻和小封装特性，特别适合用于需要高效能和紧凑设计的电路中。
Si2302DS, FDMS3602, IRML2803, AO4406A
