类型：双共阴极肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　反向重复峰值电压（VRRM）：70V
　　最大直流阻断电压（VR）：70V
　　平均整流电流（IO）：1.5A（单个二极管）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半波）
　　正向压降（VF）：典型值0.55V，最大值0.725V（在1.5A, TJ=25°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大值400μA（在70V, TJ=25°C）；高温下可达500μA（在70V, TJ=125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约70°C/W（依PCB布局而定）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　极性配置：双共阴极
　　无铅状态：符合RoHS，无铅（LF）

VP77-LF的核心特性之一是其采用肖特基势垒技术，这使得它在正向导通时表现出极低的压降特性。在1.5A的正向电流下，其典型正向压降仅为0.55V，最大不超过0.725V，远低于传统硅PN结二极管的0.7V~1.2V范围。这一特性直接降低了导通期间的能量损耗，提升了电源系统的整体效率，特别适用于对能效要求较高的低电压输出电源，例如5V或3.3V的DC-DC转换器。此外，由于发热减少，也降低了散热设计的复杂度，有助于实现更紧凑的产品结构。
　　另一个关键特性是其快速开关性能。肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子的储存效应，因此没有反向恢复时间（trr）或仅有极短的几纳秒级别。这意味着在高频开关环境下，如PWM控制的开关电源中，VP77-LF不会因反向恢复过程产生额外的尖峰电流和电磁干扰（EMI），从而提高了系统的稳定性与电磁兼容性。这对于提升电源效率、降低噪声至关重要。
　　该器件还具备良好的热稳定性和可靠性。其额定工作结温可达+125°C，并能在瞬态条件下承受更高的温度应力。SMA封装提供了适中的热传导能力，配合合理的PCB铜箔设计可有效散热。同时，器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环等，确保在工业环境下的长期稳定运行。
　　双共阴极结构是VP77-LF的重要功能特点，允许两个二极管共享同一个阴极端子，常用于中心抽头整流电路或同步整流辅助电路中，简化布线并节省空间。此外，该器件采用无铅焊接工艺，符合现代绿色制造标准，支持回流焊和波峰焊等多种表面贴装工艺，便于自动化生产。

VP77-LF广泛应用于各类需要高效、高频整流的电子电路中。最常见的应用场景是在开关模式电源（SMPS）中作为次级侧整流二极管，尤其是在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和推挽式（Push-Pull）拓扑结构中，用于将高频交流电压转换为直流输出。由于其低正向压降和快速响应特性，能够显著降低整流损耗，提高电源转换效率，满足能源之星等能效认证要求。
　　在DC-DC转换器模块中，VP77-LF常被用作续流二极管（Freewheeling Diode）或箝位二极管（Clamp Diode），在开关管关断时提供电感电流的泄放路径，防止电压尖峰损坏主控芯片。其快速响应能力可以有效抑制电压过冲，保护功率MOSFET或控制器。
　　此外，该器件也适用于电池供电设备中的反向极性保护电路，防止因电池接反而导致系统损坏。在便携式设备如移动电源、无线传感器节点和嵌入式控制系统中，VP77-LF因其小尺寸和高效率成为理想选择。
　　其他应用还包括LED驱动电源、适配器、充电器、UPS不间断电源、工业控制电源模块以及消费类电子产品中的板级电源管理单元。由于其具备良好的温度适应性和长期稳定性，也可用于部分工业和汽车电子外围电路中，但需注意其非车规级认证，不适合严苛的车载主电源系统。

MBR160VSFT1G
　　SMS700-TP
　　SS1P4