VP536ACGHPAS 时间：2025/8/20 17:40:03 阅读：6

VP536ACGHPAS是一款由Vishay Siliconix生产的P沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理和负载开关应用而设计，具备较低的导通电阻（RDS(on)）和良好的热稳定性。VP536ACGHPAS采用先进的沟槽技术，能够在低栅极电压下工作，适合用于电池供电设备和便携式电子产品中的电源控制。该器件封装为TSSOP（8引脚），符合RoHS环保标准。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.1A
　　导通电阻（RDS(on)）：42mΩ @ VGS = -4.5V；52mΩ @ VGS = -2.5V
　　功率耗散（PD）：2.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSSOP-8

特性

VP536ACGHPAS具备多项优异特性，使其在低电压功率MOSFET应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，特别是在高电流条件下。该器件在-4.5V和-2.5V的栅极电压下均可保持较低的RDS(on)，支持在低压逻辑控制电路中直接使用。
　　其次，该MOSFET采用先进的沟槽结构技术，优化了导通性能和开关速度，减少了开关损耗。这种结构也有助于提升器件的稳定性和可靠性，适用于对温度变化敏感的应用环境。
　　此外，VP536ACGHPAS的封装形式为TSSOP-8，具有良好的散热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局。该封装也支持表面贴装工艺，提高了生产自动化水平和焊接可靠性。
　　最后，该器件符合RoHS指令和REACH标准，无卤素，满足现代电子设备对环保材料的要求。