VP503N 时间：2025/8/18 13:55:12 阅读：15

VP503N 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源管理和功率开关应用。这款器件采用 TO-220 封装，具备良好的导通特性和低导通电阻，适用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等多种应用场合。VP503N 的设计使其能够在高频率下工作，并保持较低的开关损耗。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：500V
　　最大漏极电流 Id：3A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 2.5Ω（@ Vgs = 10V）
　　栅极阈值电压 Vgs(th)：2V 至 4V
　　最大栅极电压 Vgsm：±30V
　　最大功耗 Pd：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

VP503N 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体效率。此外，该器件的高耐压能力（Vds = 500V）使其适用于高压电源系统。VP503N 采用先进的沟槽技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，从而提高了在高频应用中的可靠性。
　　该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其栅极驱动电压范围适中（通常为 10V），兼容常见的驱动电路，如 PWM 控制器和光耦隔离驱动器。VP503N 还具备较强的短时过载能力，适合在瞬态负载条件下使用。
　　TO-220 封装提供了良好的散热性能，便于安装在散热片上，适用于中高功率应用。此外，该器件的封装设计有助于提高绝缘性能，减少漏电流，确保在高压环境下工作的安全性。

应用

VP503N 主要应用于各类电源管理系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等。由于其高耐压和良好的导通特性，该器件也常用于电机控制、照明驱动电路以及负载开关控制中。
　　在工业自动化设备中，VP503N 可作为功率开关用于控制继电器、电磁阀、加热元件等负载。此外，该 MOSFET 还广泛应用于 UPS（不间断电源）、变频器和逆变器系统中，作为主开关或辅助开关使用。
　　在消费类电子产品中，VP503N 可用于 LED 照明驱动、电池管理系统以及电源管理模块中，提供高效的开关控制功能。