时间：2025/12/24 18:00:46
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VP2450N3-G是一款由Vishay Semiconductors生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具备低导通电阻（RDS(on)）和优良的热性能。VP2450N3-G采用先进的沟槽技术，提供卓越的开关性能和导通损耗的优化，适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：60V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：120A（在Tc=25℃）
导通电阻(RDS(on))：最大8.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散(PD)：200W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
VP2450N3-G的主要特性包括低导通电阻，使其在高电流应用中显著降低功率损耗；高栅极雪崩能量额定值，提供更高的可靠性和耐用性；优化的沟槽结构增强了开关速度，减少了开关损耗；采用TOLL（Thin-Outline Power Package）封装，具有出色的热管理和空间节省特性；此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备高抗静电能力。
该MOSFET在设计上特别注重热性能，其封装结构支持高效的散热管理，确保在高负载条件下稳定运行。同时，VP2450N3-G的栅极驱动电压范围较宽，支持10V至16V的栅极驱动，从而提高设计的灵活性。由于其优异的性能指标，该器件广泛应用于高性能电源系统、工业控制、汽车电子和服务器电源管理等领域。
VP2450N3-G适用于多种高功率和高效率的电子系统中，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制器、负载开关、电源分配系统以及工业自动化设备中的功率开关电路。其优异的导通和开关性能也使其成为服务器和通信设备中高密度电源模块的理想选择。
SiZ120DT,TNTC120N60S
