VP0340N5 时间：2025/9/13 23:34:25 阅读：11

VP0340N5 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和快速开关特性的电路中。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和良好的热稳定性，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等领域。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大漏极电流（Id）：40A（在 25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：4.8mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.2V 至 2.5V
　　最大功耗（Ptot）：80W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

VP0340N5 采用了先进的沟槽技术，使其在低电压应用中表现出色，尤其是在高电流负载下。其导通电阻非常低，仅为 4.8mΩ，这有助于减少导通损耗，提高整体效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在较高的温度下正常工作，适应各种恶劣的环境条件。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间工作，适合多种驱动电路设计。其栅极阈值电压较低，通常在 1.2V 至 2.5V 之间，使得该器件能够在较低的控制电压下开启，适用于低功耗应用。
　　VP0340N5 的封装形式为 TO-220AB，这种封装提供了良好的散热性能，同时便于安装和焊接。由于其高可靠性和优异的电气性能，这款 MOSFET 广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等领域。
　　此外，该器件具有较低的开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色，适用于需要快速响应的电路设计。VP0340N5 的设计优化了导通和开关性能之间的平衡，确保在各种应用中都能提供稳定的性能。