时间：2025/7/25 14:12:55
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VP0106N3-G是一款由Vishay Siliconix制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于高功率应用场合。该器件采用了先进的沟槽式技术，提供了出色的导通电阻和开关性能，适用于需要高效率和低损耗的电路设计。VP0106N3-G封装形式为TO-252（DPAK），便于散热和安装。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：60V
最大漏极电流（ID）：160A
导通电阻（RDS(on)）：0.0035Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：80nC
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
VP0106N3-G具有极低的导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件采用了先进的沟槽式技术，确保了优异的开关性能，减少了开关损耗。此外，VP0106N3-G具备较高的电流承载能力和热稳定性，能够在高功率密度和高温环境下可靠工作。其TO-252封装形式不仅便于安装，还具备良好的散热性能，适合用于高功率应用。
该MOSFET还具有较低的栅极电荷，使得开关速度更快，进一步减少开关损耗。其快速的开关特性使其适用于高频率开关应用，如DC-DC转换器、电源管理模块和电机驱动电路。此外，VP0106N3-G的高可靠性设计使其在恶劣的工作环境下依然能够保持稳定的性能。
VP0106N3-G广泛应用于各种高功率电子设备中，包括电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。其高效率和低导通电阻特性使其成为需要高效能功率转换和控制的理想选择。此外，该器件也适用于工业自动化设备、电动车辆和可再生能源系统中的功率控制电路。
SiR142DP, FDP160N60
