VNW50N04 时间：2025/7/23 7:55:47 阅读：3

VNW50N04是一款由STMicroelectronics制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高电流、高效率的功率开关应用而设计，采用先进的技术，具有低导通电阻、高可靠性和优异的热性能。VNW50N04广泛应用于汽车电子、工业控制、电源管理和电机驱动等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：50A
　　最大漏-源电压：40V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.018Ω（最大值，典型值0.014Ω）
　　栅极电压范围：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK（表面贴装）

特性

VNW50N04具有多项先进的性能特点，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其漏极电流额定值为50A，能够在高功率负载下稳定工作。
　　其次，该器件支持宽范围的栅极电压输入（±20V），提高了在不同控制电路中的适用性，并增强了抗电压波动的能力。此外，VNW50N04具备良好的热稳定性，工作温度范围从-55°C到+175°C，适用于高温环境下的应用，如汽车动力系统和工业电机控制。
　　封装方面，VNW50N04提供TO-220和D2PAK两种封装形式，前者适用于传统的通孔安装，后者则适合于表面贴装工艺，便于在高密度PCB设计中使用。D2PAK封装还具有良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的可靠性。
　　此外，VNW50N04内置了静电放电（ESD）保护功能，增强了器件在操作和焊接过程中的安全性。其高雪崩能量耐受能力也使其在负载突变或短路情况下仍能保持稳定运行。

应用

VNW50N04主要用于需要高电流和高效率的功率开关场合。典型应用包括电动汽车和混合动力汽车中的电机控制器、电池管理系统、DC-DC转换器等。在工业领域，该器件常用于伺服电机驱动器、工业自动化设备的电源开关以及不间断电源（UPS）系统。
　　此外，VNW50N04也适用于高功率LED照明驱动、电源适配器和开关电源（SMPS）设计。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能电源管理系统的理想选择。
　　由于其优异的热性能和可靠性，VNW50N04还被广泛用于恶劣环境下的电子控制系统，如农业机械、建筑设备和电动工具等。在这些应用中，该器件能够承受较大的机械振动和温度变化，确保系统长时间稳定运行。