VNV10N07是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由STMicroelectronics制造。这款MOSFET专为高效能电源管理和开关应用而设计,具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压和高电流承载能力的特点,适用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关和负载管理等多种应用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):70V
最大漏极电流(ID):10A(连续)
导通电阻(RDS(on)):0.22Ω(典型值)
栅极阈值电压(VGS(th)):2.1V至4V
最大功率耗散(PD):30W
工作温度范围:-55°C至175°C
VNV10N07具有低导通电阻,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。其70V的漏源电压耐受能力使其适用于多种中压功率转换应用。该MOSFET采用先进的沟槽栅极技术,提供优良的开关性能和热稳定性。
此外,VNV10N07封装形式通常为TO-220或D2PAK,这使得它在散热设计上非常灵活,适用于高功率密度电路设计。器件内部还集成了保护机制,如过热保护和雪崩击穿保护,提高了器件在恶劣工作条件下的可靠性和耐用性。
该MOSFET的开关速度快,能够在高频条件下运行,适用于高频DC-DC转换器等应用。同时,其驱动需求较低,可减少驱动电路的复杂性和成本。
VNV10N07广泛应用于各种电力电子系统中,包括DC-DC转换器、电源管理系统、电机驱动器、电池充电器、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制电路。此外,它也适用于需要高可靠性和高效率的汽车电子系统,如车载电源系统和电动工具等。
由于其高耐压和高电流能力,VNV10N07特别适合用于需要频繁开关操作的场合,如PWM(脉宽调制)控制电路、电源管理模块以及嵌入式系统的功率输出级。在这些应用中,VNV10N07可以有效减少功率损耗并提高系统效率。
STP10NK70Z, FQP10N70, IRF1010