VNV10N07 时间：2025/7/22 6:04:58 阅读：13

VNV10N07是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由STMicroelectronics制造。这款MOSFET专为高效能电源管理和开关应用而设计，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和高电流承载能力的特点，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关和负载管理等多种应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：70V
　　最大漏极电流（ID）：10A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V至4V
　　最大功率耗散（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

VNV10N07具有低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其70V的漏源电压耐受能力使其适用于多种中压功率转换应用。该MOSFET采用先进的沟槽栅极技术，提供优良的开关性能和热稳定性。
　　此外，VNV10N07封装形式通常为TO-220或D2PAK，这使得它在散热设计上非常灵活，适用于高功率密度电路设计。器件内部还集成了保护机制，如过热保护和雪崩击穿保护，提高了器件在恶劣工作条件下的可靠性和耐用性。
　　该MOSFET的开关速度快，能够在高频条件下运行，适用于高频DC-DC转换器等应用。同时，其驱动需求较低，可减少驱动电路的复杂性和成本。

应用

VNV10N07广泛应用于各种电力电子系统中，包括DC-DC转换器、电源管理系统、电机驱动器、电池充电器、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制电路。此外，它也适用于需要高可靠性和高效率的汽车电子系统，如车载电源系统和电动工具等。
　　由于其高耐压和高电流能力，VNV10N07特别适合用于需要频繁开关操作的场合，如PWM（脉宽调制）控制电路、电源管理模块以及嵌入式系统的功率输出级。在这些应用中，VNV10N07可以有效减少功率损耗并提高系统效率。