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VNV10N07 发布时间 时间:2025/7/22 6:04:58 查看 阅读:3

VNV10N07是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由STMicroelectronics制造。这款MOSFET专为高效能电源管理和开关应用而设计,具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压和高电流承载能力的特点,适用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关和负载管理等多种应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):70V
  最大漏极电流(ID):10A(连续)
  导通电阻(RDS(on)):0.22Ω(典型值)
  栅极阈值电压(VGS(th)):2.1V至4V
  最大功率耗散(PD):30W
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

VNV10N07具有低导通电阻,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。其70V的漏源电压耐受能力使其适用于多种中压功率转换应用。该MOSFET采用先进的沟槽栅极技术,提供优良的开关性能和热稳定性。
  此外,VNV10N07封装形式通常为TO-220或D2PAK,这使得它在散热设计上非常灵活,适用于高功率密度电路设计。器件内部还集成了保护机制,如过热保护和雪崩击穿保护,提高了器件在恶劣工作条件下的可靠性和耐用性。
  该MOSFET的开关速度快,能够在高频条件下运行,适用于高频DC-DC转换器等应用。同时,其驱动需求较低,可减少驱动电路的复杂性和成本。

应用

VNV10N07广泛应用于各种电力电子系统中,包括DC-DC转换器、电源管理系统、电机驱动器、电池充电器、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制电路。此外,它也适用于需要高可靠性和高效率的汽车电子系统,如车载电源系统和电动工具等。
  由于其高耐压和高电流能力,VNV10N07特别适合用于需要频繁开关操作的场合,如PWM(脉宽调制)控制电路、电源管理模块以及嵌入式系统的功率输出级。在这些应用中,VNV10N07可以有效减少功率损耗并提高系统效率。

替代型号

STP10NK70Z, FQP10N70, IRF1010

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VNV10N07参数

  • 其它有关文件VNV10N07 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列OMNIFET™
  • 类型低端
  • 输入类型非反相
  • 输出数1
  • 导通状态电阻100 毫欧
  • 电流 - 输出 / 通道7A
  • 电流 - 峰值输出10A
  • 电源电压-
  • 工作温度-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • 供应商设备封装PowerSO-10
  • 包装管件