时间：2025/7/23 4:06:53
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VNS3NV04-E是一款由威世（Vishay）公司生产的表面贴装功率MOSFET晶体管，采用先进的TrenchFET?技术制造，具有低导通电阻和高功率密度的特点。该器件主要设计用于高效率电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等应用。VNS3NV04-E封装在紧凑的PowerPAK? SO-8封装中，确保了良好的热性能和空间利用率，适合现代电子产品对小型化和高性能的需求。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：8.3A
导通电阻（RDS(on)）：24mΩ @ VGS=10V
导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS=4.5V
功耗（PD）：3.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：PowerPAK SO-8
VNS3NV04-E具有多项优异的电气和热性能，适用于高要求的功率应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其是在高电流工作条件下。该器件在VGS=10V时RDS(on)仅为24mΩ，在VGS=4.5V时为35mΩ，表现出良好的栅极驱动兼容性，适用于多种控制器和驱动电路。
其次，该MOSFET采用先进的TrenchFET?技术，使得芯片结构更紧凑，电流密度更高，同时降低了导通压降，提升了整体性能。此外，PowerPAK? SO-8封装提供了优异的热管理能力，确保在高功率密度应用中仍能保持稳定运行，延长器件寿命。
再者，该器件具备良好的栅极氧化层稳定性，栅源电压可达±20V，增强了在高频开关应用中的可靠性，减少因电压波动导致的损坏风险。其高雪崩能量耐受能力也使其在感性负载切换等高应力条件下表现优异。
最后，VNS3NV04-E符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于自动贴片工艺，便于批量生产和高可靠性要求的应用。
VNS3NV04-E适用于多种中高功率电子系统，特别是在需要高效率和紧凑设计的场合。该器件常用于同步整流的DC-DC转换器中作为高端或低端开关，能够有效降低导通损耗，提高电源转换效率。在电池管理系统中，如便携式设备、笔记本电脑和电动工具中，该MOSFET可作为负载开关或充放电控制器，确保系统在不同负载条件下稳定运行。
此外，VNS3NV04-E也可用于电机驱动电路，特别是在无刷直流电机（BLDC）和步进电机的H桥驱动拓扑中，其低导通电阻和高电流承载能力有助于提升电机效率并减少发热。在工业自动化设备和电源分配系统中，该MOSFET还可用于电源管理模块、热插拔控制电路和固态继电器等应用场景。
由于其良好的热性能和封装紧凑性，VNS3NV04-E也适用于车载电子系统，如车载充电器、LED照明驱动和车载DC-DC变换器等。在这些应用中，它能够承受较高的环境温度并保持稳定性能。
SiSS14DN-T1-GE3, FDS6680, IRF7413PbF
