VNS14NV04TR-E是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET,适用于需要高效率和高性能的应用场景。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等特点,使其成为工业电机控制、电源转换器和电动汽车系统的理想选择。
类型:N沟道
最大漏极电流(ID):14A
最大漏源电压(VDS):40V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(ON)):35mΩ(典型值)
封装类型:TO-252(DPAK)
工作温度范围:-55°C 至 175°C
VNS14NV04TR-E的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外,它具有较高的最大漏极电流能力,使其能够处理高功率负载。该MOSFET还具备良好的热性能,能够在高温环境下稳定运行,确保长期可靠性。其坚固的封装设计提供了良好的机械强度和热管理能力,适合在恶劣环境中使用。
另一个重要特性是其高耐压能力,VDS的最大值为40V,这使得VNS14NV04TR-E能够在高压应用中表现出色。同时,其栅源电压范围为±20V,提供了灵活的驱动选项,并有助于防止栅极过电压损坏。此外,该器件的设计优化了开关性能,减少了开关损耗,从而提高了整体系统的响应速度和效率。
VNS14NV04TR-E常用于各种高性能功率电子设备中,例如DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率开关。由于其高可靠性和高效率,它也适用于电动汽车和混合动力汽车中的电力电子系统,如车载充电器和电动机驱动器。此外,该MOSFET还可用于高功率LED照明系统、不间断电源(UPS)以及太阳能逆变器等应用。
IPD14N04S4-03, FDD14N04A