时间：2025/7/22 16:25:57
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VNS14NV04TR-E是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效率和高性能的应用场景。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等特点，使其成为工业电机控制、电源转换器和电动汽车系统的理想选择。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：14A
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ（典型值）
封装类型：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
VNS14NV04TR-E的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外，它具有较高的最大漏极电流能力，使其能够处理高功率负载。该MOSFET还具备良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行，确保长期可靠性。其坚固的封装设计提供了良好的机械强度和热管理能力，适合在恶劣环境中使用。
另一个重要特性是其高耐压能力，VDS的最大值为40V，这使得VNS14NV04TR-E能够在高压应用中表现出色。同时，其栅源电压范围为±20V，提供了灵活的驱动选项，并有助于防止栅极过电压损坏。此外，该器件的设计优化了开关性能，减少了开关损耗，从而提高了整体系统的响应速度和效率。
VNS14NV04TR-E常用于各种高性能功率电子设备中，例如DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率开关。由于其高可靠性和高效率，它也适用于电动汽车和混合动力汽车中的电力电子系统，如车载充电器和电动机驱动器。此外，该MOSFET还可用于高功率LED照明系统、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等应用。
IPD14N04S4-03, FDD14N04A
