时间：2025/5/15 12:50:52
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VNQ830E 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 QFN16 封装形式。这款器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，非常适合用于需要高效功率转换的场合。其额定电压为 60V，广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中。
该芯片凭借其优异的电气特性和封装设计，能够显著降低功耗并提升系统的整体效率。
最大漏源极电压：60V
连续漏极电流：42A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：27nC
总电容：1980pF
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：QFN16
VNQ830E 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为 2.5mΩ，可有效减少传导损耗。
2. 快速开关能力，得益于较低的栅极电荷，适合高频应用。
3. 高电流处理能力，支持高达 42A 的连续漏极电流。
4. 紧凑的 QFN16 封装设计有助于节省 PCB 空间。
5. 工作温度范围宽广，能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
VNQ830E 广泛适用于以下应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 各类负载开关，例如便携式设备中的动态负载管理。
4. 电池管理系统（BMS）中的保护和控制电路。
5. 电机驱动应用，如小型直流无刷电机的功率输出级。
6. 其他需要高效功率管理的场景，如 LED 驱动和音频放大器。
VNQ830EP, IRF7830, FDP5500
