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VNQ810 发布时间 时间:2025/5/7 13:18:08 查看 阅读:25

VNQ810是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252封装形式。该器件专为高效率开关应用设计,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。它通常用于各种电源管理、电机驱动以及负载开关场景中。
  其低导通电阻特性有助于减少功率损耗,并且能够在高频开关条件下保持高效性能。此外,VNQ810具备良好的热稳定性和电气稳定性,适合在严苛的工作环境中使用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:3.9A
  导通电阻(典型值):0.14Ω
  栅极-源极电压:±20V
  功耗:1.17W
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

VNQ810拥有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻使得功率损耗最小化,从而提升整体效率。
  2. 高击穿电压确保了在高压环境下的可靠性。
  3. 小型化的TO-252封装使其易于集成到紧凑型设计中。
  4. 快速开关速度减少了开关损耗,适用于高频应用。
  5. 热增强设计可以有效降低结温,提高长期工作的稳定性。
  6. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

VNQ810广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和降压/升压转换器。
  2. 消费类电子产品的负载开关和保护电路。
  3. 工业控制设备中的电机驱动和电磁阀控制。
  4. LED照明驱动电路中的电流调节。
  5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
  6. 各种便携式设备中的功率管理单元(PMU)。

替代型号

VNQ811, VNQ812, IRF540N

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VNQ810参数

  • 其它有关文件VNQ810 View All Specifications
  • 标准包装28
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列-
  • 类型高端
  • 输入类型非反相
  • 输出数4
  • 导通状态电阻160 毫欧
  • 电流 - 输出 / 通道-
  • 电流 - 峰值输出5A
  • 电源电压5.5 V ~ 36 V
  • 工作温度-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装28-SO
  • 包装管件
  • 其它名称497-2703-5