时间：2025/5/13 9:19:22
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VNQ690SP是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，采用小型化的PowerSSO-12封装形式。该器件具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种开关电源、电机驱动、负载切换等应用场景。
该芯片专为需要高能效和散热性能的应用设计，其出色的电气特性和可靠性使得VNQ690SP成为广泛使用的功率转换解决方案中的关键组件。
型号：VNQ690SP
类型：N沟道功率MOSFET
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
Id（连续漏极电流）：78A
栅极电荷（Qg）：53nC
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：PowerSSO-12
VNQ690SP具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高额定漏极电流（78A），适用于大电流应用环境。
3. 具备良好的热性能，能够适应极端温度条件下的操作需求。
4. 小型化封装设计有助于节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 耐用性强，适合工业级及汽车级应用要求。
VNQ690SP常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中的功率开关。
2. 汽车电子设备中的负载切换与电机控制。
3. 工业自动化设备中的电源管理和电机驱动。
4. 大功率LED照明系统的驱动电路。
5. 各类高效能功率管理模块的设计。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电保护电路。
VNQ691SP, VNQ692SP
