VNQ5160K 时间：2025/4/30 11:51:14 阅读：25

VNQ5160K 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适合于各种电源管理应用。其封装形式为 SO-8，这使得它在 PCB 布局上更加灵活，并且易于散热。VNQ5160K 的额定电压为 60V，适用于中低压应用场景。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：4.2A
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值，Vgs=10V时）
　　栅极电荷：7nC（典型值）
　　开关速度：快速
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装：SO-8

特性

VNQ5160K 提供了卓越的性能表现，特别是在低导通电阻方面，使其能够减少功率损耗并提高系统效率。
　　此外，该器件具有以下特点：
　　1. 高度可靠的电气性能，确保长期稳定运行。
　　2. 快速开关能力，可以有效降低开关损耗。
　　3. 紧凑的 SO-8 封装设计，节省空间同时增强散热性能。
　　4. 能够承受较宽的工作温度范围，适应多种恶劣环境条件。
　　这些特性使 VNQ5160K 成为众多功率转换和负载开关应用的理想选择。

应用

VNQ5160K 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. 开关模式电源 (SMPS)，例如适配器、充电器等。
　　2. 直流电机驱动电路。
　　3. LED 照明系统的调光控制。
　　4. 各种负载开关和保护电路。
　　5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　由于其出色的电气特性和可靠性，VNQ5160K 在消费电子、工业控制以及汽车电子等领域都得到了广泛应用。