时间：2025/5/10 17:04:33
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VNP5N07FI-E 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 Vishay 公司生产。该器件采用 SO-8 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种电源管理和功率转换应用。VNP5N07FI-E 的最大漏源电压为 60V，能够提供高达 12A 的连续漏极电流（在特定条件下）。这款 MOSFET 非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等电路中。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：12A
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ（典型值，当 Vgs=10V 时）
栅极电荷：12nC（典型值）
开关时间：ton=12ns，toff=9ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
VNP5N07FI-E 是一款性能优异的功率 MOSFET，其主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低传导损耗。
2. 快速开关速度，确保高效运行并减少开关损耗。
3. 栅极电荷较低，有助于减轻驱动器的负担。
4. 工作电压范围宽，适配多种应用场景。
5. 提供 SO-8 封装，便于安装和散热。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
VNP5N07FI-E 广泛应用于各种功率电子领域，具体应用包括：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 负载开关和电源分配模块。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池保护和管理电路。
5. LED 驱动器和其他需要高效功率切换的应用场景。
VNQ0107EP-E, IRF540N
